氮化镓取代硅功率,手机充电进入“10分钟时代”
消费市场上,氮化代硅氮化镓( GaN )正在迅速取代基于硅(Si)功率产品成为消费电子赛道的镓取进入新宠儿。
在过去的功率一年里,包括苹果、手机时代三星在内的充电头部手机厂商都在他们的充电器中加入了氮化镓,而中国的分钟厂商则将其作为市场差异化的重要竞争点。7月19日晚间,氮化代硅iQOO称已在关键元器件电源开关和PFC两处使用第三代半导体材料氮化镓,镓取进入iQOO10Pro更是功率首次商用200W 超快闪充技术,最快10分钟可将4700mAh大电池从1%充至100%。手机时代
“不管是充电电芯芯片还是算法,国产手机厂商在手机充电领域的分钟投入越来越大。”Counterpoint Research研究副总监齐英楠对第一财经记者表示,氮化代硅相较于海外手机厂商,镓取进入国产手机在这一领域已经处于领跑阶段。功率
电池技术以及快速充电已经成为手机市场重要的竞争重点之一。
IDC分析师王希则表示,在现阶段的市场环境下,大家都知道硬件瓶颈,大环境不好,冲击高端,但能看到各个品牌各自的思考。
“在现阶段,硬件与技术透明得不能再透明了,曾经充电时间由一个多小时变成半小时的时候,是用户感知很强烈的节点,再到如今缩短到十分钟这个生活常用时间单位,消费者的感知也会越来越强。”
根据Counterpoint向记者提供的数据显示,随着5G智能手机的普及,电池容量近年在不断增加。电池容量为3000 mAh-4000 mAh的智能手机销售比例从2020年的44%下降到2021年的35%,而电池容量为4000 mAh-5000 mAh的大容量智能手机销售比例从2020年的25%上升到2021年的40%。
此外,国产供应链正在引领第三代半导体材料氮化镓进入主流消费市场,并在快充市场得到普及。
与第一代和第二代半导体材料相比,第三代半导体材料具有更宽的禁带宽度、更高的击穿电场、更高的热导率、更大的电子饱和速度以及更高的抗辐射能力,更适合制作高温、高频、抗辐射及大功率器件。其中,SiC和GaN的研究和发展更为成熟。
2019年,氮化镓首次被应用于充电头,进入主流消费应用,而后vivo等也加大了投入力度。
据记者了解,iQOO目前在200W 氮化镓迷你充电器中使用了双氮化镓设计,而在核心充电IC方案上,采取了主副板设计以及而在超薄极片电池方案,最大充电能力提升了166%。
齐英楠对记者表示,由于各厂商采用的快速充电技术和技术不同,各机型的充电速度也不同,但从国产手机品牌充电技术的整体发展水平来看,已经处于全球领先阶段。“真正的充电解决方案,涉及到手机的充电算法,这是偏软件的一个东西,需要厂商的投入。比如说过去我们充电电压大概加到5伏、6伏就比较高了,现在可能要加到10伏以上,需要一些特殊材料处理。”
对于充电技术材料的研发,vivo内部人士对记者表示,过去隔膜材料在日韩企业中较多使用,但目前国内的技术上已逐步突破。“超薄隔膜”与“正极材质”的厚度都达到了非常薄的水准, 甚至超出了新能源汽车动力电池所使用的程度。充电IC芯片、超薄隔膜均已实现了国产化。
市场研究公司Yole预测,氮化镓功率器件市场将从2021年的1.26亿美元增长到2027年20亿美元的,期间的年复合年增长率(CAGR)高达的59%,消费电源、数据通信/电信和汽车将成为氮化镓市场的主要推动力。
目前,A股中布局氮化镓的概念的个股共36只。7月以来,、涨幅居前,均累计上涨超30%;、、的股价跌幅居前。13只氮化镓概念股已经抢先发布中报业绩预告,京泉华、、等上半年业绩预增,上半年业绩扭亏。
Yole 预计,2023年,氮化镓电源市场规模将达到4.23亿美元,复合年均增长率达93%,有较大增长空间。
(责任编辑:休闲)
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