三星电子“抢先台积电一步”,批量产出全球首款3纳米芯片

  发布时间:2025-07-07 00:16:09   作者:玩站小弟   我要评论
韩国《中央日报》7月26日报道,25日,三星电子在京畿道华城的极紫外线光刻EUV)专用代工半导体委托生产)设施V1生产线举行了全球首次应用全环绕栅极GAA)技术的3纳米晶圆代工制程芯片的出厂仪式。三星 。

韩国《中央日报》7月26日报道,星电芯片25日,抢先全球三星电子在京畿道华城的台积极紫外线光刻(EUV)专用代工(半导体委托生产)设施V1生产线举行了全球首次应用全环绕栅极(GAA)技术的3纳米晶圆代工制程芯片的出厂仪式。三星电子从2000年代初开始研究GAA晶体管结构。电步

据报道,批量三星电子的产出3纳米芯片批量生产比台积电领先一步。

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